1.開機，BIOS自檢，可以看到設(shè)備硬盤信息，以及提示Ctrl+R進入Raid卡配置界面。
2.按Ctrl+R進入Raid卡配置界面，一般來說使用Ctrl+R進入Raid卡配置界面的Raid卡配置都通用。
下面是具體操作。

3.進入配置Raid陣列-進入Raid配置界面后，可以簡單查看硬盤狀態(tài)，使用Ctrl+N和Ctrl+P可以左右切換菜單。

目前無配置信息，此時磁盤狀態(tài)為：“JBOD”，我們可以開始進行配置（如果磁盤狀態(tài)已經(jīng)是UG，則可以跳過步驟3創(chuàng)建UG）

4. 創(chuàng)建UG-UG”；?…”,按F2彈出菜單選擇“Make?Mega?將光標上移至“LSI?3)

選中要使用的盤（空格選中），OK確認。

5. 創(chuàng)建VD,Drive”?Virtual?!”，Enter進入配置界面，或者按F2，選擇“Create?Present?Configuration?光標移至“No


6. 選擇Raid級別。根據(jù)硬盤的數(shù)量和自己的需要選擇，多塊硬盤一般選擇Raid5。
填寫VD名稱，也就是這個整列的名稱，方便記憶和區(qū)別，例如作為數(shù)據(jù)盤，可以標注DATA，選中VD成員，即Raid5組內(nèi)的硬盤，如果條件許可，還可以留一塊用做熱備盤， 那個熱備盤相當于幫Raid陣列多做多個備份，如果Raid陳列里其中一個盤壞了，這個熱備盤就會頂替Raid里的那個壞盤，同時利用異或校驗算法，把壞盤上面的數(shù)據(jù)原樣做出來并存儲在熱備盤中。這樣一來就等于Raid沒受到損壞，然后你再找個一個同樣的盤把壞盤替換掉，Raid和熱備盤的狀態(tài)又正常了！
選擇Advanced，進行高級配置。

Through）?更改“寫策略”（Write
Write-Through和Write-Back的區(qū)別
當CPU采用高速緩存時，它的寫內(nèi)存操作有兩種模式：
　　一種稱為“穿透”(Write-Through)模式，在這種模式中高速緩存對于寫操作就好像不存在一樣，每次寫時都直接寫到內(nèi)存中，所以實際上只是對讀操作使用高速緩存，因而效率相對較低。
　　另一種稱為“回寫”(Write-Back)模式，寫的時候先寫入高速緩存，然后由高速緩存的硬件在周轉(zhuǎn)使用緩沖線時自動寫入內(nèi)存，或者由軟件主動地“沖刷”有關(guān)的緩沖線。
Write Through和Write Back是陣列卡Cache的兩種使用方式，也稱為透寫和回寫。
通常有三種方法：

write through：CPU向cache寫入數(shù)據(jù)時，同時向memory(后端存儲)也寫一份，使cache和memory的數(shù)據(jù)保持一致。優(yōu)點是簡單，缺點是每次都要訪問memory，速度比較慢。
post write：CPU更新cache數(shù)據(jù)時，把更新的數(shù)據(jù)寫入到一個更新緩沖器，在合適的時候才對memory(后端存儲)進行更新。這樣可以提高cache訪問速度，但是，在數(shù)據(jù)連續(xù)被更新兩次以上的時候，緩沖區(qū)將不夠使用，被迫同時更新memory(后端存儲)。
write back：cpu更新cache時，只是把更新的cache區(qū)標記一下，并不同步更新memory(后端存儲)。只是在cache區(qū)要被新進入的數(shù)據(jù)取代時，才更新memory(后端存儲)。這樣做的原因是考慮到很多時候cache存入的是中間結(jié)果，沒有必要同步更新memory(后端存儲)。優(yōu)點是CPU執(zhí)行的效率提高，缺點是實現(xiàn)起來技術(shù)比較復雜。
Write Through也是RAID陣列卡的默認模式。
當選用write through方式時，系統(tǒng)的寫磁盤操作并不利用陣列卡的Cache，而是直接與磁盤進行數(shù)據(jù)的交互。而write Back方式則利用陣列Cache作為系統(tǒng)與磁盤間的二傳手，系統(tǒng)先將數(shù)據(jù)交給Cache，然后再由Cache將數(shù)據(jù)傳給磁盤。

OK確認。?CnfigureHotSpare，配置熱備盤（不需要配置熱備盤則可以不勾選此項）。?Iitialize，初始化磁盤，選中后會提示提示此操作會丟失數(shù)據(jù)，選擇OK繼續(xù)。

下面是如何配置熱備盤，選擇硬盤，按空格鍵選擇，然后OK繼續(xù)。

VD初始化


Hot spare是熱備盤