現(xiàn)在，多次曝料Sapphire Rapids規(guī)格、實(shí)物的網(wǎng)友YuuKi_AnS首次公布了它的內(nèi)核照，是四個(gè)小芯片之一，可以明顯看到確實(shí)有15個(gè)核心，分成三排布局，但其中一個(gè)會(huì)被屏蔽掉。



另?yè)?jù)透露，這顆樣品還是ES0階段的早期工程樣品，頻率僅有1.3GHz，同時(shí)集成了64GB HBM2E內(nèi)存。

至于為何出廠就屏蔽4個(gè)核心，顯然是出于保證良品率、供貨量的考慮，后續(xù)后期成熟了不排除滿血全開的可能。

看起來(lái)，10nm SuperFin增強(qiáng)版工藝，也還是不十分給力啊。

根據(jù)目前掌握的情報(bào)，Sapphire Rapids將采用10nm SuperFin加強(qiáng)版工藝制造，首發(fā)支持DDR5內(nèi)存，最高八通道、4800MHz頻率，同時(shí)首次集成HBM2高帶寬內(nèi)存，最多64GB，并支持下一代傲騰持久內(nèi)存，隨機(jī)訪問(wèn)帶寬提升多達(dá)2.6倍。

技術(shù)方面，首發(fā)支持PCIe 5.0，最多80條通道，多路互連通道升級(jí)為四條UPI 2.0，每路帶寬16GT/s，還支持CXL 1.1高速互連總線，也可以通過(guò)PCIe 5.0、CXL連接獨(dú)立的FPGA加速器，指令集方面支持INT8、BFloat16精度的AMX、TMIUL。

功耗也相當(dāng)驚人，TDP上限從270W提高到350W，據(jù)說(shuō)還能解鎖400W。