三星推出業(yè)界首款HBM2E內(nèi)存產(chǎn)品

admin 系統(tǒng)教程評論800字?jǐn)?shù) 353閱讀模式

三星Flashbolt高帶寬內(nèi)存最新資訊介紹:

在英偉達(dá)的GTC 2019大會上,三星發(fā)布了新的Flashbolt高帶寬內(nèi)存(HBM),據(jù)稱是業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品。

三星推出業(yè)界首款HBM2E內(nèi)存產(chǎn)品

IT之家獲悉,新一代產(chǎn)品將每個針腳的帶寬提高33%——從2.4Gbps提高到3.2Gbps;此外,每個芯片的容量也翻了一倍,達(dá)到16Gb。據(jù)此,1024位總線的Flashbolt封裝,可以在8-Hi堆棧配置中提供高達(dá)410GB/s的帶寬和16GB的容量。

三星的目標(biāo)是將這些產(chǎn)品用在下一代數(shù)據(jù)中心、AI/ML(人工智能/機器學(xué)習(xí))和圖形應(yīng)用程序上。

目前三星尚未宣布HBM2E產(chǎn)品量產(chǎn)計劃,但是Flashbolt未來有望進(jìn)入下一代7nm GPU。

以上就是小編為大家?guī)淼娜荈lashbolt高帶寬內(nèi)存最新資訊介紹,希望能對您有所幫助!

版權(quán)聲明:文章圖片資源來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵權(quán),請留言刪除!!!
廣告也精彩
admin
  • 本文由 發(fā)表于 2019年9月8日 19:15:52
  • 轉(zhuǎn)載請務(wù)必保留本文鏈接:http://yudch.cn/5146.html
匿名

發(fā)表評論

匿名網(wǎng)友 填寫信息

:?: :razz: :sad: :evil: :!: :smile: :oops: :grin: :eek: :shock: :???: :cool: :lol: :mad: :twisted: :roll: :wink: :idea: :arrow: :neutral: :cry: :mrgreen: