西數(shù)LLF微秒級延遲閃存開發(fā)

西數(shù)正在開發(fā)自己的LLF低延遲閃存，與傳統(tǒng)的3D NAND相比，它將提供更高的性能和耐用性，最終用于與英特爾的傲騰存儲競爭。

在本周的活動上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術旨在實現(xiàn)3D
NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級的延遲，采用SLC或者MLC顆粒。

西數(shù)表示，LLF閃存的成本比DRAM低10倍，但是按照每GB價格計算，3D內存的成本仍是3D
NAND的20倍，因此它只能用于針對數(shù)據中心或高端工作站，類似于現(xiàn)在的英特爾Optane和三星Z-NAND。

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